革命性專利技術(shù)
引領(lǐng)行業(yè)未來的創(chuàng)新解決方案
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高純度碳化硅粉料合成技術(shù)
高純度碳化硅粉料合成技術(shù)
將固態(tài)的高純的Si源和高純的C源作為原料，使其在1400～2000℃的高溫下持續(xù)反應，最后得到高純SiC粉體。合成過程中涉及的原輔料，純度均在6.5N以上，關(guān)鍵雜質(zhì)元素B、Al、V、Ti、Fe、W和Mo等均小于0.05ppm。形成專利：“ZL202223108629.7，一種用于高純碳化硅顆粒除碳的裝置”、“ZL202222282311.4，一種用于高純碳化硅原料合成的裝置”、“ZL202223114406.1，一種用于高純石墨粉排氮的石墨裝置”等。
革命性專利技術(shù)
引領(lǐng)行業(yè)未來的創(chuàng)新解決方案
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晶體生長技術(shù)優(yōu)勢
“半粘半夾持”式籽晶固定與超聲噴涂籽晶粘結(jié)技術(shù)
創(chuàng)新性提出“半粘半夾持技術(shù)”，簡化籽晶粘結(jié)工作的同時，減少晶體應力。提高高溫下的膠水的殘?zhí)柯剩捎贸暡F化噴涂技術(shù)，將行業(yè)傳統(tǒng)的手動粘結(jié)替代為設備噴涂粘結(jié)，一次粘結(jié)合格率從45%提高到75%以上，如圖5所示。
將籽晶與石墨紙粘結(jié)固定，實現(xiàn)夾持石墨紙而不夾持籽晶的技術(shù)。粘紙結(jié)構(gòu)減少石墨托方案的后期應力，且能有效避免夾持籽晶的缺陷及利用率低的問題，可生產(chǎn)較厚的高質(zhì)量晶體。形成專利：“ZL20 2223422652.3，晶體側(cè)環(huán)及晶體生長裝置”、“ZL202320163044.0，一種籽晶懸掛結(jié)構(gòu)及晶體生長裝置”以及“ZL202311121092.4，一種碳化硅籽晶粘結(jié)方法”。
“自犧牲”式多孔石墨與“超耐腐蝕”涂層石墨技術(shù)
提出粉料區(qū)“自犧牲”式多孔石墨組件來穩(wěn)定長晶初期“硅逃逸”、長晶區(qū)涂層石墨件來抵抗“硅腐蝕”、“梯度式”裝料穩(wěn)定長晶過程中“碳硅比”技術(shù)，實現(xiàn)6-8英寸晶體快速生長，生長速度提高40%以上，如下圖4所示，晶片碳包裹合格率由80%提高到95%以上。形成發(fā)明專利：“ZL202310142259.9，碳化硅晶體生長裝置、其過濾材料以及過濾材料的制備方法”。
石墨發(fā)熱筒上端輻射加熱技術(shù)
石墨“筒狀輻射發(fā)熱”替代坩堝上方軟、硬氈的保溫熱場，減少熱場上端的腐蝕，同時避免爐次與爐次之間的溫度波動，提高熱場壽命與熱場穩(wěn)定性。熱場設計如下圖3所示，熱場平均壽命可提高80%以上。
形成發(fā)明專利“ZL2021 22817775.6，一種碳化硅晶體生長裝置”以及“ZL202310857385.2，N型碳化硅晶體、制備方法及生長裝置”。
“石墨翅片”換熱技術(shù)
提出“石墨翅片”組件的溫度調(diào)節(jié)裝置，相對于石墨環(huán)表面積提高277%，換熱效應提高127%。以此替代石墨氈調(diào)整溫度梯度，避免石墨氈在高溫下收縮、硅腐蝕等行業(yè)難題，實現(xiàn)“相似型饅頭面”的生長方式，提高晶體質(zhì)量與穩(wěn)定性。結(jié)構(gòu)設計如下圖1所示，溫度仿真如下圖2所示；已形成發(fā)明專利“ZL202222 904375.3，一種坩堝及碳化硅長晶裝置”。
革命性專利技術(shù)
引領(lǐng)行業(yè)未來的創(chuàng)新解決方案
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高效率、高良率、低成本的切片加工技術(shù)
高效率、高良率、低成本的切片加工技術(shù)
我司業(yè)內(nèi)首推0.105mm螺旋線進行SiC砂漿切割。我司加工時間已縮短至80小時，提高38%的切割效率。通過對線切單位面積切割力計算和測試，我司0.105mm螺旋線用線量已經(jīng)降低至1.2km/pcs，損耗減少60%以上。我司單刀裝載量為300pcs/刀，裝載量提升50%，且良率在99.5%以上。
通過對碳化硅線切的深入研究，開發(fā)了高效率、低成本的線切加工方式，申請發(fā)明專利“ZL202211697888.X，碳化硅晶片多線切割方法”。
